Design of a class AB microwave amplifier using a AlGaN heterojunction field effect transistor

U radu je opisan postupak dizajniranja i verificiranja visokofrekvencijskog pojačala snage klase AB baziranog na HEMT tranzistoru CGHV1F006S. Za potrebe dizajniranja prilagodne mreže korišten je load-pull sustav uz razvijenu C# aplikaciju kako bi se odredila optimalna izlazna impedancija za maksimalno pojačanje. Prilikom dizajniranja prilagodbe bilo je potrebno paziti na udaljenosti između prijenosnih linija, kako ne bi došlo do pojave pozitivne povratne veze i osciliranja. Dizajnirano je pojačalo maksimalne ukupne učinkovitosti od 35% koja je veća od one prikazane u tehničkim specifikacijama tranzistora. Za bolju efikasnost potrebni su bolji uređaji od onih dostupnih.In this work, a method of designing and verifying radiofrequency class AB amplifier based on HEMT transistor CGHV1F006S is described. A load-pull system with custom developed C# application was used to design the matching network for maximum gain. While designing the matching network, it was neccessary to be careful of the distances between the transmission lines so as to not have a positive feedback loop and oscillations. The designed amplifier had a maximum total efficiency of 35% which is larger than the one shown in hte transistor specifications. For better efficiency, better devices than the ones available are neccessary