Seit einigen Jahren ist das technische Potential von selbstorganisiert gewachsenen Quantenpunkten (QDs) bekannt. Um sie jedoch als effektive Lichtquelle oder Speicherelement nutzen zu können, müssen ihre elektronischen Eigenschaften vorhersagbar sein. Daher untersuche ich in dieser Arbeit InAs-Quantenpunkte auf einem Substrat aus GaAs. Nachdem die Atompositionen mit einem Viel-Körper-Potential vom Abell-Tersoff-Typ relaxiert wurden, berechnete ich die elektronische Struktur mit Hilfe der Tight-Binding-Methode, welche für solch große Systeme sinnvoll ist. Beim Betrachten der Abhängigkeit der Wellenfunktionen von der Form, Größe und Temperatur zeigte sich die Wirkung der Verspannung als Hauptanteil an der P-Aufspaltung. Da typischerweise flac...
Hintergrund der vorliegenden Arbeit war die Untersuchung der Form von selbst organisiert wachsenden ...
Die stetig größer werdende Bedeutung in der Anwendung von Halbleiterquantenpunkten liegt in den Mögl...
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Untersuchung der optischen Eigenschaften von selbstorgani...
Die Ausnutzung quantenmechanischer Effekte in Halbleiter-Nanostrukturen eröffnet der Halbleiterelekt...
Semiconductor nanostructures, and particularly quantum dots (QDs), have promising potential for tech...
Quantenmechanische Effekte eröffnen der Halbleiterelektronik Wege zu völlig neuartigen Bauelementen....
Die vorliegende Arbeit liefert einen erfolgreichen Ansatz, um die Verteilung von selbstorganisierten...
In dieser Arbeit werden optische Methoden (Reflexions-Anisotropie Spektroskopie (RAS) und Spektrosko...
Die vorliegende Arbeit liefert einen erfolgreichen Ansatz, um die Verteilung von selbstorganisierten...
Selbstorganisierte Halbleiter-Quantenpunkte stellen für technologische Anwendungen hochinteressante ...
Halbleiternanostrukturen sind zurzeit von großem Interesse für weitreichende Anwendungen in der Elek...
Die elektronischen und optischen Eigenschaften von verspannten Halbleiter-Quantenfäden und -Quantenp...
In anderer Ausgabe gedruckt erschienen im Verlag Dr. Hut unter der ISBN 978-3-8439-1778-0.Galliumpho...
Die Kapazität-Spannung (C-V) Spektroskopie bietet eine experimentelle Möglichkeit, Quantenpunkte (QD...
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde mittels optischer Rasternahfeldmikroskopie (SNOM) die elektr...
Hintergrund der vorliegenden Arbeit war die Untersuchung der Form von selbst organisiert wachsenden ...
Die stetig größer werdende Bedeutung in der Anwendung von Halbleiterquantenpunkten liegt in den Mögl...
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Untersuchung der optischen Eigenschaften von selbstorgani...
Die Ausnutzung quantenmechanischer Effekte in Halbleiter-Nanostrukturen eröffnet der Halbleiterelekt...
Semiconductor nanostructures, and particularly quantum dots (QDs), have promising potential for tech...
Quantenmechanische Effekte eröffnen der Halbleiterelektronik Wege zu völlig neuartigen Bauelementen....
Die vorliegende Arbeit liefert einen erfolgreichen Ansatz, um die Verteilung von selbstorganisierten...
In dieser Arbeit werden optische Methoden (Reflexions-Anisotropie Spektroskopie (RAS) und Spektrosko...
Die vorliegende Arbeit liefert einen erfolgreichen Ansatz, um die Verteilung von selbstorganisierten...
Selbstorganisierte Halbleiter-Quantenpunkte stellen für technologische Anwendungen hochinteressante ...
Halbleiternanostrukturen sind zurzeit von großem Interesse für weitreichende Anwendungen in der Elek...
Die elektronischen und optischen Eigenschaften von verspannten Halbleiter-Quantenfäden und -Quantenp...
In anderer Ausgabe gedruckt erschienen im Verlag Dr. Hut unter der ISBN 978-3-8439-1778-0.Galliumpho...
Die Kapazität-Spannung (C-V) Spektroskopie bietet eine experimentelle Möglichkeit, Quantenpunkte (QD...
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde mittels optischer Rasternahfeldmikroskopie (SNOM) die elektr...
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Die stetig größer werdende Bedeutung in der Anwendung von Halbleiterquantenpunkten liegt in den Mögl...
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Untersuchung der optischen Eigenschaften von selbstorgani...