Recombination scattering in zinc selenide semiconductor films

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є явище рекомбінаційного розсіювання у напівпровідникових плівках ZnSe. Мета роботи полягає у вивченні раманівських спектрів у напівпровідникових плівках, та методів їх отримання. При виконанні роботи використовувалися такі методи та прилади: конденсація плівок у КЗО, растрова мікроскопія, фрактографія, спектрометрія, дослідження раманівського розсіювання. У результаті проведених досліджень встановлено, що спектри раманівського розсіювання плівок селеніду цинку отриманих за низьких температур в прорівнянні з високими температурами підкладки при зростанні Ts їх середній розмір зростає. При високих температурах конденсації (ZnSe) плівки росли за пошаровим механізмом, для них була характерною дрібнодисперсна структура, а кристаліти розташовувалися один над одним