The influence of the heat treatment process into the silicon carbide 6H-SiC surface

За допомогою методів Оже-електронної, рентгенофотоелектронної спектроскопії, а також електроннографічного аналізу досліджено розподіл елементів за фазами і стан на поверхні й у приповерхневому шарі монокристалів карбіду кремнію 6Н-SiС. ІІоказано характер розподілу домішок кисню і вуглецю на поверхні й у приповерхневій ділянці після термічної обробки у вакуумі 2·10-3 Па. Результати можна використати у технології виготовлення мікроприладів на основі карбіду кремнію [1].With the help of methods the Auger - electric, rontgenophotoelectronic of spectroscopy, and also electronographic of the analysis is researched allocation of units on phases and status on a surface and in skin bed of monocrystals of silicon carbide 6Н-Si. ІІ the character of allocation of impurities of Oxygenium and Carboneum on a surface and in skin site after a heat treatment in vacuo 2*10-3 Па is rendered. The outcomes can be utilised in production process of microinstruments on a base to silicon carbide [1]