Druckabhängigkeit der spezifischen Wärme von CeCu2Si2

Vorgestellt werden Messungen der spezifischen Wärme an polykristallinem CeCu2Si2 im Temperaturbereich zwischen 0.3 K und 2 K bei Drücken bis zu 9.3 Kbar. Es wird eine monotone Abnahme des Koeffizienten j (Tc) = c(tc)/Tc des elektronischen Beitrages um 42% beobachtet, deren Ursache wir in der Verbreitung der Resonanzstruktur in der Zustandsdichte mit zunehmendem Druck sehen. Während sich die Übergangstemperatur Tc mit dem Druck nur wenig ändert, zeigt die Sprunghöhe Alpha c bei Tc eine starke nichtmonotone Druckabhängigkeit. Für dieses Verhalten sind mehrere unterschiedliche physikalische Deutungen möglich, die im Einzelnen diskutiert werden