Dünnschichtsolarzellen aus Galliumarsenid

Bronner, W.
Ehrhardt, A.
Lanyi, P.
Lutz, F.
Welter, H.
Yavas, O.
Schetter, C.
Wettling, W.
Bett, A.W.
Nguyen, T.N.

Publication date

January 1990

Abstract

Mittels Heteroepitaxie und selektiver Epitaxie aus der Gasphase werden Verfahren für Herstellung von GaAs-Solarzellen auf Fremdsubstrat entwickelt. Auf Eigensubstrat werden GaAs-Schichten durch Flüssigphasenepitaxie hergestellt und zu Solarzellen von hohem Wirkungsgrad (bis 20,7%) und sehr guten Werten von Leerlaufspannung (Voc=1,04V) und Füllfaktor (FF=0,86) prozessiert

Extracted data

We use cookies to provide a better user experience.

Data Protection

Dünnschichtsolarzellen aus Galliumarsenid

Abstract

Extracted data

Dünnschichtsolarzellen aus Galliumarsenid

Abstract

Extracted data

Related items

Related items