Kombinierte RAM/PROM Speicherzellen in kalibrierbaren Sensorschaltungen

Für den Einsatz in Sensorsystemen werden Speicherzellen vorgestellt, die zunächst während der Ermittlung der benötigten Einstellungen als RAM betrieben werden und nach Abschluß der Kalibration durch einen Brennvorgang in ROM-Zellen umgewandelt werden können. Als nicht flüchtiges Speicherelement wird eine Zener-Zapping-Diode eingesetzt, die sich ohne Prozeßerweiterungen in einen Standard-CMOS-Prozeß realisieren läßt. Für den Brennvorgang wird ein Programmierstrom vom 18 mA bei einem Spannungsabfall von 6.8V an den Zener-Zapping-Dioden benötigt