Add to ORKGZiel dieser Dissertation ist es, eine GaAs-basierte Mehrfachsolarzelle zu entwickeln, bei der die Germanium-Unterzelle durch eine Silicium-Solarzelle ersetzt wird. Da Silicium im Vergleich zu Germanium deutlich besser verfügbar und kostengünstiger ist, stellt dieses Solarzellenkonzept eine vielversprechende Alternative zu der etablierten Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge-Dreifachsolarzelle dar
Breitbandige Halbleitermaterialien zeigen bessere elektrische Eigenschaften im Vergleich zu Si und k...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
Im Rahmen eines vierjährigen Forschungsvorhabens wurden Epitaxie, Charakterisierung und Technologie ...
Dreifachsolarzellen bestehend aus III-V-Verbindungshalbleitern und Germanium erreichen heutzutage Wi...
Stapelförmige Mehrfach-Solarzelle umfassend eine erste Teilzelle, wobei die erste Teilzelle überwieg...
Im Rahmen des Projekts soll die Wechselwirkung einer Silicium-Schmelze mit verschiedensten Materiali...
Mittels Heteroepitaxie und selektiver Epitaxie aus der Gasphase werden Verfahren für Herstellung von...
Kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen, welche auf dem Ansatz des epitaktischen Waferäquivalent...
In dieser Dissertation werden das Wachstumsverhalten sowie die Defektbildung während der Züchtung vo...
In der Dissertation "Einfluss von Materialdefekten in monokristallinem Silicium in der industriellen...
Der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs) ist neben dem Indiumphosphid (InP) der weitverbreite...
SIGLEAvailable from TIB Hannover: F01B538 / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technis...
GaAs ist derzeit wohl profilierteste Vertreter der Gruppe der sog. III-V-Verbindungshalbleiter. Bei ...
Hauptaktivität des im südbadischen Feiburg i.Br. gelegenen Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festk...
Im Rahmen des Projektes wurden auf Wafern aus blockgegossenem und bandgezogenem multikristallinen Si...
Breitbandige Halbleitermaterialien zeigen bessere elektrische Eigenschaften im Vergleich zu Si und k...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
Im Rahmen eines vierjährigen Forschungsvorhabens wurden Epitaxie, Charakterisierung und Technologie ...
Dreifachsolarzellen bestehend aus III-V-Verbindungshalbleitern und Germanium erreichen heutzutage Wi...
Stapelförmige Mehrfach-Solarzelle umfassend eine erste Teilzelle, wobei die erste Teilzelle überwieg...
Im Rahmen des Projekts soll die Wechselwirkung einer Silicium-Schmelze mit verschiedensten Materiali...
Mittels Heteroepitaxie und selektiver Epitaxie aus der Gasphase werden Verfahren für Herstellung von...
Kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen, welche auf dem Ansatz des epitaktischen Waferäquivalent...
In dieser Dissertation werden das Wachstumsverhalten sowie die Defektbildung während der Züchtung vo...
In der Dissertation "Einfluss von Materialdefekten in monokristallinem Silicium in der industriellen...
Der Verbindungshalbleiter Galliumarsenid (GaAs) ist neben dem Indiumphosphid (InP) der weitverbreite...
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GaAs ist derzeit wohl profilierteste Vertreter der Gruppe der sog. III-V-Verbindungshalbleiter. Bei ...
Hauptaktivität des im südbadischen Feiburg i.Br. gelegenen Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festk...
Im Rahmen des Projektes wurden auf Wafern aus blockgegossenem und bandgezogenem multikristallinen Si...
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Im Rahmen eines vierjährigen Forschungsvorhabens wurden Epitaxie, Charakterisierung und Technologie ...