Über die Herstellung von Gallium- und Aluminiumnitrid aus der Gasphase

Ziel dieser Dissertation war die systematische Untersuchung des HTVPE-Wachstumsprozesses zur Herstellung von GaN. Durch ihre hohen Wachstumsraten besitzt diese Methode ein erhebliches Potential in Hinblick auf die Herstellung von GaN-Quasisubstraten. Die Beschreibung der Wachstumsraten soll durch das Aufstellen eines Wachstumsmodelles ermöglicht und anhand der umfangreichen experimentellen Daten verifiziert werden. Darüber hinaus wurde die HTVPE erstmals zur Herstellung AlN eingesetzt. Die gewonnenen Daten dienten zur Überprüfung des erarbeiteten Modells. Inwieweit sich die HTVPE zum Wachstum von ternären Mischkristallen eignet wurde am Beispiel AlxGa1-xN untersucht