Estudio de la estructura electrónica y de las propiedades termoeléctricas de nanohilos semiconductores mediante un modelo de dos bandas

Se desarrolla un modelo de dos bandas con el que describir los estados electrónicos en nanohilos de semiconductores de intervalo prohibido estrecho, como el PbTe o el SnTe. Así, se determina la estructura de subbandas, y se encuentran estados de superficie localizados, precisamente, en la parte más externa del nanohilo. Además, se desarrolla un método con el que estudiar un nanohilo rugoso, observando como sus estados de superficie se localizan en las partes más anchas, con el consiguiente aplanamiento de las subbandas. Y, finalmente, se determinan las propiedades termoeléctricas de los nanohilos, observando como la reducción del radio de los mismos puede originar una mejora de las propiedades termoeléctricas, debido a la mayor difusión de los fonones en nanoestrucuturas. No obstante, el efecto de los estados de superficie es, en ocasiones, contrario a la mejora de la figura de merito ZT. Y es por eso que, además del nanoestructurado, la modulación del radio de los nanohilos, que suprimiría parcialmente la conducción de los estados de superficie, se postula como una estrategia con la que mejorar las propiedades termoeléctricas