Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире

Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин