In dieser Dissertation werden erstmalig systematische photoelektronenspektroskopische Untersuchungen der Zustandsdichte und der Lage des Ferminiveaus in ultradünnen a Si H Schichten auf kristallinem Siliziumsubstrat präsentiert. Au erdem wird untersucht, ob die gefundenen Ergebnisse mit den Rekombinationsparametern an der a Si H c Si Grenzfläche verknüpft werden können. Schlie lich wird der Frage nachgegangen, ob der Bandoffset an der a Si H c Si Grenzfläche mit den a Si H Depositionsparametern bzw. der Schichtdotierung variiert. Die Ergebnisse zur Variation der a Si H Defektparameter mit den Depositionsbedingungen werden mit den entsprechenden Literaturdaten zu dicken Schichten verglichen und mit SPV Messungen der Rekombinations Zeitkonsta...
In dieser Arbeit wurde die Elektrolumineszenz von Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Heterostrukturen untersucht....
In dieser Arbeit werden Photoelektroden auf Basis von Tandemsolarzellen aus Dünnschichtsilizium für ...
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotro...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Diese Arbeit beschreibt Teilschritte auf dem Weg zu hocheffizienten kristallinen Silizium Dünnschich...
Amorph oder kristallin? Diese Frage ist auf den ersten Blick eindeutig zu beantworten. Besteht der F...
Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung eines Silizium-kompatiblen, schnellen Photodetektors, der an ...
In der vorliegenden Arbeit wurde eine Prozedur zur Analyse von nanostrukturierten, vergrabenen Gren...
In Deutschland hat sich die Nutzung der erneuerbaren Energien in den letzten Jahren erfreulich ausge...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
Im Rahmen dieser Arbeit wurden Halbleiterschichtsysteme mittels R.aman-Spektroskopie, Infrarot-Spekt...
In dieser Arbeit werden Photoelektroden auf Basis von Tandemsolarzellen aus Dünnschichtsilizium für ...
In dieser Arbeit wurde die Elektrolumineszenz von Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Heterostrukturen untersucht....
In dieser Arbeit werden Photoelektroden auf Basis von Tandemsolarzellen aus Dünnschichtsilizium für ...
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotro...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Die elektronischen Eigenschaften von in-situ hergestellten Eisen/Silizium-Grenzflächen- schichten un...
Diese Arbeit beschreibt Teilschritte auf dem Weg zu hocheffizienten kristallinen Silizium Dünnschich...
Amorph oder kristallin? Diese Frage ist auf den ersten Blick eindeutig zu beantworten. Besteht der F...
Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung eines Silizium-kompatiblen, schnellen Photodetektors, der an ...
In der vorliegenden Arbeit wurde eine Prozedur zur Analyse von nanostrukturierten, vergrabenen Gren...
In Deutschland hat sich die Nutzung der erneuerbaren Energien in den letzten Jahren erfreulich ausge...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
In dieser Arbeit wurden erstmals Solarzellen mit völlig neuartigem Design (POWER- und EWT-Zellen) un...
Im Rahmen dieser Arbeit wurden Halbleiterschichtsysteme mittels R.aman-Spektroskopie, Infrarot-Spekt...
In dieser Arbeit werden Photoelektroden auf Basis von Tandemsolarzellen aus Dünnschichtsilizium für ...
In dieser Arbeit wurde die Elektrolumineszenz von Si$_{1-x}$Ge$_{x}$/Si-Heterostrukturen untersucht....
In dieser Arbeit werden Photoelektroden auf Basis von Tandemsolarzellen aus Dünnschichtsilizium für ...
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotro...