Add to ORKGEste documento pretende hacer una revisión de las principales características estructurales y morfológicas del nitruro de aluminio –AlN- específicamente cuando este es depositado por Magnetrón Sputtering ó por medio de Ablación Láser (PLD). Igualmente como influyen los parámetros de crecimiento como presión de gas ambiente (N2), temperatura de sustrato o tiempo de deposición en la calidad y orientación cristalina de las películas delgadas de AlN
En el presente artículo realizamos una detalla revisión de trabajos de investigación sobre el nitrur...
Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer...
Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a produção e caracterização do nitreto de alumínio (AlN...
Este documento pretende hacer una revisión de las principales características estructurales y morfol...
En este trabajo se presentan los resultados de una investigación que consistió en el depósito y cr...
This paper gives the preliminary results about aluminum nitride (AlN) nanoestructured films deposite...
Se depositó recubrimientos de Nitruro de Titanio (TiAlN) por medio de la técnica Magnetrón Sputterin...
En el presente trabajo se diseñó, fabricó e instaló un equipo de alto vacío, en el laboratorio de Ci...
Se utilizó la técnica de erosión iónica reactiva para fabricar un conjunto de películas delgadas de ...
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de ni...
Se crecieron recubrimientos de TixAl1-xN empleando la técnica de magnetron sputtering tríodo, varian...
En este artículo se presentan resultados experimentales de recubrimientos de materiales que en la ac...
Un nuevo campo de Investigación se ha encontrado con el estudio de la familia de Nitruros Metálicos ...
Las capas de nitruro de aluminio (AlN) y las multicapas de (AlN/Mn) fueron crecidas por pulverizac...
Le nitrure d aluminium (AlN) est un semi-conducteur suscitant un vif intérêt pour l optoélectronique...
En el presente artículo realizamos una detalla revisión de trabajos de investigación sobre el nitrur...
Los procesos de captura y liberación de carga en dispositivos MOS con Al2O3 crecido por Atomic Layer...
Neste trabalho é apresentado um estudo sobre a produção e caracterização do nitreto de alumínio (AlN...
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