Explorando Gates Independentes na Geração de Redes de Transistores Baseada em FinFET.

Firstly, this work presents an analysis pointing the impacts of the FinFET technology in the transistor network generation during the logic synthesis step. This analysis presents some case studies demonstrating that a new paradigm has been introduced by the double-gate devices, like the independent-gate (IG) FinFETs. Moreover, this work demonstrates that this new paradigm introduces a lack to be explored. Since the conventional methods for transistor network generation are not able to explore the potential provided by double-gate devices. Thus, this work proposes two alternative methods for IG FinFET-based transistor network generation. The first one is a graph-based method, which aims to find promising patterns to explore the potential provided by the double-gate devices. The second one aims to defactoring Boolean expression in order to maximize the use of the independent gates of each IG FinFET. The experiments have demonstrated that the proposed methods are able to generate optimized IG FinFET transistor networks, with a low cost in run time. Moreover, the obtained results demonstrate that, in fact, the conventional methods of transistor network generation are not the best alternative to design networks based in double-gate devices. This way, the results reinforce the existence of a new paradigm introduced by the IG FinFET technology. Finally, the analysis presented in this work provides support to design new methods to build transistor networks based in IG FinFETs.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESInicialmente, este trabalho apresenta uma análise, apontando o impacto da tecnologia FinFET na geração de redes de transistores durante a etapa de síntese lógica. Essa análise apresenta diversos estudos de casos para demonstrar que uma mudança de paradigma vem sendo introduzida pelos dispositivos double gate, como os transistores independent-gate (IG) FinFET. Além disso, o presente trabalho mostra que essa mudança de paradigma deixa uma lacuna a ser explorada, tendo em vista que os métodos de geração de redes de transistores disponíveis na literatura não são capazes de explorar o potencial que os dispositivos double gate oferecem. Então, neste trabalho são propostos dois métodos alternativos para geração de redes de transistors baseadas em dispositivos IG FinFET. Um dos métodos é baseado em grafos e visa encontrar padrões de arranjos promissores para explorar o potencial dos dispositivos double gate. O segundo método proposto visa realizar defatorações em expressões Booleanas a fim de maximizar o uso dos gates independentes de cada transistor IG FinFET. Os experimentos realizados demonstram que os métodos propostos são capazes de gerar redes de transistors IG FinFET otimizadas, com um baixo custo em tempo de execução. Além disso, os resultados obtidos demonstram que de fato os métodos convencionais de geração de redes de transistors não são a melhor alternative para gerar redes baseadas em dispositivos double gate. Com isso, os resultados reforçam a existência de um novo paradigma introduzido pela tecnologia IG FinFET. Enfim, a análise apresentada neste trabalho dá suporte para o desenvolvimento de novas técnicas de geração de redes de transistors IG FinFET