Dans ce papier, nous analysons pour la première fois les performances d'une intégration de transistors à e¤et de champs couches minces en silicium microcristallin (c-Si TFT) sur matrice active dédiés à la technologie émergeante des a¢ cheurs à diodes électroluminescentes organiques (OLED). Les résultats obtenus à partir de notre technique de dépôt ont permis d'obtenir une amélioration signicative de l''uniformité électrique de pixel à pixel en associant à la fois un circuit pixel simple et un procédé technologique efficace
2 pagesNational audienceL'objectif de l'étude est la fabrication d'éléments optiques diffractifs (EO...
Nowadays the scaling of bulk silicon CMOS technologies is reaching physical limits. In this context,...
National audienceLes applications microfluidiques à haut débit visent à miniaturiser un laboratoire ...
Dans ce papier, nous analysons pour la première fois les performances d'une intégration de transisto...
National audienceCet article présente une évaluation de la fiabilité de la technologie SiGe SGB25 de...
International audienceLe but des travaux ici présentés est de fabriquer des éléments optiques diffra...
L'essentiel de ce travail de recherche consiste à mettre au point un procédé de fabrication d'une no...
National audienceCet article résume le panorama de l'état de l'art des technologies d'optique intégr...
5 pagesNational audienceLes systèmes ici mis en œuvre en tant que support d'enregistrement holograph...
Pixels size of CMOS image sensors is now decreasing towards one micron. Inthat context, dark current...
The photovoltaic conversion efficiency of organic solar cells is still too low to start their produc...
FDSOI architecture (Fully Depleted Silicon On Insulator) allows a significantimprovement of the elec...
session 7 " Cristaux photoniques "National audienceNous présentons ici les détails d'un processus so...
Si dopant diffusion in microelectronics devices has been studied in 1 and 2 dimensions. The codiffus...
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