REALISATION PAR ADHESION MOLECULAIRE D'UN SUBSTRAT INDUISANT L'AUTO-ORGANISATION LATERALE ET CONTROLEE DU DEPOT DE NANOSTRUCTURES

M. Michel SCHLENKER Président du jury; M. Roland BONNET Examinateur; M. Alain CLAVERIE Rapporteur; M. Guy HOLLINGER Rapporteur; M. Hubert MORICEAU Co-encadrant; M. Noël MAGNEA Directeur de thèse;Semiconductor nanostructures are interesting objects for many microelectronic and optoelec-tronic applications. Nevertheless, to use them, it is necessary to control their size, their density and their in-plane distribution. Therefore an important work in research has been done for some years to control these parameters. Most of these researches try to find out a self-organized collective growth method of nanostructures. In our work, we have chosen to elabo-rate a functional substrate inducing a lateral self-organization of nanostructures. The organiza-tion driving force is the strain field induced on the surface by a buried dislocations network. This network is obtained by the molecular bonding and the transfer of a silicon ultra-thin film onto a silicon wafer. In order to do this, we have developed original methods for controlling the bonding angles. Performing simultaneously the realization process and structural studies, we demonstrate that these substrates organize laterally the nanostructures deposit of Si quan-tum dots. These substrates could then be used to manufacture new microelectronic or optoe-lectronic components such as, for instance new non-volatile memory types.Les nanostructures de semiconducteurs sont des objets très intéressants pour de nombreuses applications en microélectronique ou en optoélectronique. Néanmoins, pour pouvoir les utili-ser, il est nécessaire de contrôler leur taille, leur densité et leur répartition spatiale. C'est pour-quoi de nombreux travaux de recherche ont été consacrés ces dernières années à la maîtrise de ces paramètres. La majorité des études porte sur la mise au point d'une méthode de croissance collective auto-organisée des nanostructures. Dans notre travail, nous avons choisi d'élaborer un substrat fonctionnel apte à provoquer l'auto-organisation latérale des nanostructures. Le moteur de l'organisation est le champ de contraintes induit en surface par un réseau de dislo-cations enterrées, obtenues par le collage et le transfert d'un film ultra-mince de silicium sur une plaque de silicium. Pour ce faire, nous avons mis au point des méthodes originales de contrôle des angles de collage. En menant de front procédé de réalisation et études structura-les, nous avons démontré que ces substrats organisent latéralement le dépôt de boîtes quanti-ques de silicium. Ces substrats pourraient donc être utilisés pour fabriquer de nouveaux com-posants pour la microélectronique ou l'optoélectronique tels que par exemple des nouveaux types de mémoires non volatiles