Effets des traitements thermiques sur les propriétés physico-chimiques des bicristaux de silicium

Les analyses localisées en IR et SIMS effectuées sur des bicristaux de silicium Σ9, Σ13 et Σ25 ont montré que les recuits thermiques induisent une accumulation d’oxygène et de carbone aux joints de grains. Ces impuretés s’associent entre elles et forment des complexes responsables de l’augmentation de l’activité électrique des joints