L'objectif de cette thèse était de développer une méthodologie pour l’étude des nanostructures de semi-conducteurs nitrures par microscopie corrélative, en corrélant leurs caractéristiques structurales et chimiques avec leurs performances optiques. Comme première expérience, nous décrivons la croissance par épitaxie par faisceau moléculaire assistée par plasma de super-réseaux de boîtes quantiques (QD) AlGaN/AlN insérés dans des nanofils (NW) de GaN auto-assemblés pour une application dans des sources ultraviolettes pompées par électrons. Les performances optiques des super-réseaux sur les NW sont comparées à l'émission de puits multi-quantiques. Les ensembles NW atteignent une efficacité quantique interne (IQE) supérieure à 60% à températu...
Les nitrures d’éléments III sont des matériaux clés du fait de leurs excellentes propriétésoptoélect...
International audienceInGaN/GaN nanostructures form the active region of III-nitride emitters (light...
Les nanofils semiconducteurs sont des nano-objets dont la longueur peut aller jusqu'à quelques micro...
L'objectif de cette thèse était de développer une méthodologie pour l’étude des nanostructures de se...
The aim of this thesis was to develop a methodology for the characterization of III-nitride nanostru...
Ce travail porte sur la conception, l’épitaxie, et la caractérisation structural et optique de deux ...
Ce mémoire de thèse présente une étude structurale de puits et de boîtes quantiques GaN/AIN élaborés...
Ce mémoire de thèse présente une étude structurale de puits et de boîtes quantiques GaN/AIN élaborés...
Cette thèse porte sur la réalisation de composants photoniques à base de fils de nitrures III-V. Les...
Les nanostructures de nitrures d’éléments III sont considérées comme des candidats prometteurs visan...
Ce travail a consisté en la croissance (par épitaxie à jets moléculaires) et la caractérisation de n...
Nous avons étudié les propriétés structurales et optiques d'hétérostructures de nitrures d'éléments ...
Ce travail de thèse s'intéresse aux propriétés structurales et optiques de semiconducteurs à grand g...
Scanning electron microscopy allows for the investigation of materials down to the nanometre scale. ...
Les nitrures d’éléments III sont des matériaux clés du fait de leurs excellentes propriétésoptoélect...
International audienceInGaN/GaN nanostructures form the active region of III-nitride emitters (light...
Les nanofils semiconducteurs sont des nano-objets dont la longueur peut aller jusqu'à quelques micro...
L'objectif de cette thèse était de développer une méthodologie pour l’étude des nanostructures de se...
The aim of this thesis was to develop a methodology for the characterization of III-nitride nanostru...
Ce travail porte sur la conception, l’épitaxie, et la caractérisation structural et optique de deux ...
Ce mémoire de thèse présente une étude structurale de puits et de boîtes quantiques GaN/AIN élaborés...
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Cette thèse porte sur la réalisation de composants photoniques à base de fils de nitrures III-V. Les...
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Scanning electron microscopy allows for the investigation of materials down to the nanometre scale. ...
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