Perturbations électromagnétiques conduites d’un bras d’onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux

National audienceDans cet article une structure ‘‘3D’’ à base decomposant GaN est présentée. Sa réalisation proche desstructures ‘‘3D’’ existantes pour les composants Silicium telque le concept PCoC donne la perspective de bénéficier desmêmes avantages vis à vis des perturbationsélectromagnétiques en mode conduit. C’est ce qui est vérifiédans cet article en comparant la structure ‘‘3D’’ avec uneréalisation d’une structure ‘‘2D’’optimisée pour composantGaN