Investigation of hyperfine parameters in pure and 3d transition metal doped SnOsub(2) e TiOsub(2) by means of perturbed gamma-gamma angular correlation spectroscopy

Submitted by Claudinei Pracidelli (cpracide@ipen.br) on 2015-06-09T18:22:48Z No. of bitstreams: 0Made available in DSpace on 2015-06-09T18:22:49Z (GMT). No. of bitstreams: 0O presente trabalho teve como objetivo utilizar a t??cnica nuclear de Correla????o Angular γ-γ Perturbada (CAP) para a medida de intera????es hiperfinas em filmes finos e amostras em p?? de ??xidos semicondutores SnO2 e TiO2 puros e dopados com metais de transi????o para uma investiga????o sistem??tica de defeitos estruturais e do magnetismo sob o ponto de vista at??mico tendo como principal motiva????o a candidatura ?? aplica????o desses ??xidos em spintr??nica. O trabalho tamb??m teve como foco a prepara????o e caracteriza????o das amostras por meio de t??cnicas convencionais, como difra????o de raios X, microscopia eletr??nica de varredura, espectroscopia de energia dispersiva e medidas de magnetiza????o. Amostras puras dos filmes foram medidas mediante a varia????o sistem??tica da temperatura de tratamento t??rmico e do campo magn??tico aplicado. Tais medidas foram realizadas no HISKP, na Universidade de Bonn (Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universit??t Bonn), atrav??s de implanta????o de ??ons de 111In(111Cd) ou 181Hf(181Ta); no IPEN, por sua vez, essas medidas foram realizadas ap??s a difus??o dos mesmos n??cleos de prova. Outra parte das medidas CAP foram feitas atrav??s de implanta????o de ??ons de 111mCd(111Cd) e 117Cd(117In) no Isotope Mass Separator On-Line (ISOLDE) do Centre Europ??en Recherche Nucl??aire (CERN). As medidas foram realizadas nos intervalos de temperatura de 8 K a 1173 K. Para an??lise de ferromagnetismo, medidas foram feitas ?? temperatura ambiente com e sem aplica????o de campo magn??tico externo. Ap??s a compara????o dos resultados das medidas macrosc??picas e at??micas das amostras, foi poss??vel concluir que h?? uma correla????o entre os defeitos, o magnetismo e a mobilidade dos portadores de carga nos semicondutores aqui estudados. Um passo adiante na busca de semicondutores, cujo ordenamento magn??tico possibilite o seu uso na eletr??nica baseada em spin. Alguns resultados j?? foram publicados, incluindo resultados obtidos na Universidade de Bonn durante o per??odo de doutorado sandu??che [1-7].Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)IPEN/TInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/S