Gamma radiation processing dosimetry with commercial silicon diodes

Made available in DSpace on 2014-10-09T12:26:55Z (GMT). No. of bitstreams: 0Made available in DSpace on 2014-10-09T14:06:20Z (GMT). No. of bitstreams: 0Este trabalho contempla o desenvolvimento de dos??metros baseados em diodos de Si para a dosimetria de radia????o gama para doses desde 1 Gy at?? 100 Gy. Este intervalo de dose ?? freq??entemente utilizada em processos de irradia????o de cristais, pol??meros conjugados e tamb??m em v??rios estudos biol??gicos conduzidos no Centro de Tecnologia das Radia????es (CTR) do IPEN-CNEN/SP. O dos??metro proposto foi constru??do a partir do diodo cormecial de Si SFH00206 (Siemens), operando em regime fotovoltaico, cujas caracter??sticas el??tricas s??o adequadas para esta aplica????o. As correntes geradas no dispositivo pela radia????o gama do 60Co dos irradiadores tipo I e II foram registrada por um eletr??metro digital e armazenadas durante todo o tempo de exposi????o. Em todas as medidas realizadas verificou-se que os sinais de corrente registrados em fun????o do tempo de exposi????o eram est??veis. Al??m disso, a fotocorrente do dispositivo mostrou-se linearmente dependente com a taxa de dose desde 6.1x10-2 Gy/min at?? 1.9x102 Gy/min. As curvas de calibra????o dos dos??metros, em termos da carga m??dia registrada em fun????o da dose absorvida, foram obtidas pela integra????o dos sinais de corrente em fun????o do tempo de exposi????o. Os resultados evidenciaram uma resposta linear do dos??metro, com um coeficiente de correla????o melhor que 0,998 para uma dose total absorvida de at?? 120 Gy. Finalmente, devido aos pequenos erros experimentais, 5% foi poss??vel medir a dose de tr??nsito devida ao movimento das fontes radioativas de Cobalto-60 nos irradiadores utilizados neste trabalho.Dissertacao (Mestrado)IPEN/DInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/S