Influência da temperatura de deposição nas propriedades de filmes de disseleneto de cobre e índio depositados por spray-pirólise

RESUMO Os filmes Cu0,6In0,4Se2 foram depositados em substrato de vidro pela técnica de spray-pirólise, para utilização como camada absorvedora de células fotovoltaicas. Foram adotados os seguintes parâmetros de deposição: temperatura de substrato entre 250 e 400ºC, fluxo da solução precursora de 1 mL/min e tempo de deposição de 30 min. As propriedades estruturais, elétricas, morfológicas e óticas dos filmes preparados foram analisadas em função da variação da temperatura de substrato. A análise por difração de raios X mostrou que os picos mais intensos são de orientação (204/220) e que os filmes possuem as fases de CuSe, CuSe2 e CuInSe2. Para o processo de condução elétrica foi observada uma única energia de ativação com valor médio de 0,73 eV. A resistência de folha variou entre 0,277 a 0,576 MΩ/□. Os valores de resistividade elétrica apresentaram pequenas variações tendo um valor médio de 1,44 KΩm. As análises da morfologia dos filmes realizadas por microscopia confocal revelaram que de um modo geral as amostras apresentam-se sem trincas, sendo que as superfícies dos filmes com maior temperatura de deposição foram mais uniformes. A caracterização ótica foi realizada no intervalo de comprimento de onda de 350 a 1100 nm e os filmes apresentaram coeficiente de absorção na ordem de 103 cm-1 no comprimento de onda de 550 nm e gap ótico com valor médio de 1,5 eV