Nos últimos anos, os avanços nas técnicas de crescimento de semicondutores permitiram a fabricação de nanoestruturas isoladas de alta qualidade e com confinamento radial. Essas estruturas quase unidimensionais, conhecidas como nanowires (NWs) têm aplicações tecnológicas vastas, tais como nano sensores químicos e biológicos, foto-detectores e lasers. Seu uso em aplicações tecnológicas requer a compreensão de características óticas e eletrônicas e um estudo teórico mais profundo se faz necessário. O objetivo desse estudo e calcular teoricamente o poder de absorção para NWs de InP e comparar os resultados para as fases cristalinas zincblende (ZB) e wurtzita (WZ) nas suas direções de crescimento equivalentes. Usamos neste estudo a formulação do...
An understanding of the absorption of light is essential for efficient photovoltaic and photodetecti...
Les nanofils semiconducteurs suscitent un vif intérêt tant pour leurs propriétés fondamentales origi...
Nanowhiskers semicondutores de compostos III-V apresentam grande potencial para aplicações tecnológi...
Nos últimos anos, os avanços nas técnicas de crescimento de semicondutores permitiram a fabricação d...
Neste trabalho foram estudadas as propriedades ópticas de nanofios de InP crescidos pelo método Vapo...
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)Fundação de Amparo à Pesquisa do...
We investigated experimentally and theoretically the valence-band structure of wurtzite InP nanowire...
In this work we present a method to quantitatively measure the optical absorption of single nanowire...
No presente trabalho, efetuamos um extensivo estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de na...
This work presents the development of an experimental apparatus and a route for the growth of InP na...
The ability to tune the photon absorptance spectrum is an attracting way of tailoring the response o...
We present a theoretical study of the absorption of light in periodic arrays of InP nanowires. The a...
We have studied the interaction of light with an array of vertically oriented III-V semiconductor na...
We study through electromagnetic modeling the absorption of light of a given wavelength in an array ...
Ce travail présente la caractérisation des propriétés d'absorption de lumière par des nanofils uniqu...
An understanding of the absorption of light is essential for efficient photovoltaic and photodetecti...
Les nanofils semiconducteurs suscitent un vif intérêt tant pour leurs propriétés fondamentales origi...
Nanowhiskers semicondutores de compostos III-V apresentam grande potencial para aplicações tecnológi...
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Neste trabalho foram estudadas as propriedades ópticas de nanofios de InP crescidos pelo método Vapo...
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)Fundação de Amparo à Pesquisa do...
We investigated experimentally and theoretically the valence-band structure of wurtzite InP nanowire...
In this work we present a method to quantitatively measure the optical absorption of single nanowire...
No presente trabalho, efetuamos um extensivo estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de na...
This work presents the development of an experimental apparatus and a route for the growth of InP na...
The ability to tune the photon absorptance spectrum is an attracting way of tailoring the response o...
We present a theoretical study of the absorption of light in periodic arrays of InP nanowires. The a...
We have studied the interaction of light with an array of vertically oriented III-V semiconductor na...
We study through electromagnetic modeling the absorption of light of a given wavelength in an array ...
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