Study of the tune of optical emission of quantum dots of InAs / GaAs in regions between 1.3 m and 1.5 m.

Nesse trabalho, estudamos o crescimento epitaxial por feixe molecular de pontos quânticos de In/GaAs, bem como suas propriedades ópticas e morfológicas. O método de crescimento em baixa taxa foi usado para a fabricação de estruturas de pontos quânticos com alturas médias suficientes para a obtenção de resposta óptica nas faixas de 1,3 m e 1,5 m em temperatura ambiente. O interesse na manufatura desse tipo de amostra decorre do fato de serem estes o comprimento de onda de mínima atenuação de sinal em redes de transmissão por fibras ópticas. O estudo sistemático das etapas envolvidas na evolução de pontos quânticos de superfície no regime de baixa taxa de deposição permitiu entender como tais estruturas, com alturas médias bem maiores que as normalmente obtidas na literatura, puderam ser alcançadas. As condições de crescimento foram otimizadas para a produção de emissões estreitas nas faixas de comprimento de onda de interesse.In this work, we studied the molecular-beam apitaxy of InAs/GaaS quantum dots as well as their optical and morphological properties. The low growth rate approach allowed the manufacture of quantum dots large enough to provide na optical response in the vicinities of 1,3 m and 1,5 m at room temperature. The interest in this kind of structure lays on the fact that such wavelength Windows represent the regions of minimal signal attenuation in optical-fiber communication systems. The systematic investigation of the steps involved in the evolution of surface quantum dots grown under low rate allowed us to understand how such structures, with na average size much larger than taht normally obtained in the literature, could be achieved. The growth conditions were optimized to produce samples with narrow optical emissions tuned around the interesting wave length ranges