Estudo das propriedades ópticas da super-rede InGaAS/ InGaAIAs: Si através da técnica de fotoluminescência

Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, uma super-rede semicondutora de In0,53Ga0,47As/In0,52Ga0,235Al0,24As dopada com Si, crescida através da técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre InP. As origens das transições ópticas observadas nos espectros de fotoluminescência são atribuídas através da análise do comportamento das transições com a temperatura e a potência de excitação e da comparação com resultados encontrados na literatura. Constatamos a presença de flutuações de potencial de pequena magnitude. Comparamos os resultados experimentais para a transição excitônica com aqueles obtidos a partir de cálculos computacionais baseados na relação de dispersão de energia das mini-bandas de super-redes, estando ambos em excelente concordância. Obtivemos a energia de emissão excitônica de 9 a 300 K e analisamos a aplicabilidade dos modelos de Varshni, Viña e Pässler à variação da energia da transição excitônica observada na super-rede estudada, em função da temperatura, sendo que se mostrou necessária a utilização do modelo de Pässler para ajustar essa variação de maneira adequada. Realizamos, também, um estudo comparativo da variação da emissão excitônica com a temperatura para o InGaAs ?bulk? (material constituinte do poço) e para a super-rede.In this work we investigate, using the photoluminescence technique, a Si doped In0,53Ga0,47As/In0,52Ga0,235Al0,24As semiconductor superlattice, grown by molecular beam epitaxy technique (MBE), on a InP substrate. The origins of the optical transitions observed in the photoluminescence spectra are attributed by analyzing the transitions behavior with temperature and excitation power and by the comparison with results found in the literature. We have verified the presence of potential fluctuations of low magnitude. We compare the experimental results for the excitonic transitions with that obtained by computational calculations based on the dispersion relation for the superlattice energy mini-bands, being both in excellent agreement.We have measured the excitonic emission from 9 to 300 K and analyzed the applicability of the Varshni, Viña and Pässler models for the variation of the excitonic energy transition observed in the studied super-lattice, as a function of temperature, and it was shown necessary the use of the Pässler model to adjust this variation properly. We have also accomplished a comparative study of the variation of the excitonic emission with the temperature for the InGaAs ?bulk? (well material) and the superlattice