Estudo de pontos quânticos auto-organizados de InAs por fotoluminescência

Estruturas semicondutoras com alto grau de confinamento, tais como poços quânticos, fios quânticos e pontos quânticos, têm sido de grande interesse, tanto do ponto de vista tecnológico, quanto da pesquisa básica. Pontos Quânticos Auto-Organizados ou SAQDs (do Inglês Self-Assembled Quantum Dots) surgem espontaneamente, como conseqüência do descasamento de rede do material depositado em relação ao substrato, durante o crescimento por MBE. Neste trabalho foram estudadas amostras de Pontos Quânticos através da técnica da fotoluminescência (PL) com variação de temperatura e de potência de excitação. Foram estudadas amostras de SAQDs de InAs, crescidos sobre o GaAs. Também foram crescidos dots no interior de um poço quântico de InGaAs (14% de In), sendo esse tipo de heteroestrutura denominada DWELL (dots-in-a-well). As estruturas de QDs foram produzidas através do crescimento contínuo (com diferentes taxas de deposição) e também através de crescimento pulsado, que consiste em ciclos de deposição e intervalo de interrupção. Através da análise dos espectros de PL foi verificado que algumas das amostras de QDs apresentam um comportamento anômalo da energia de PL, da intensidade integrada, e da largura de linha, em função da temperatura, o que pode ser explicado considerando-se as distribuições de tamanho dos dots. Em duas amostras de QDs crescidos sobre o GaAs foram identificados dois picos de PL que apresentam um comportamento com a temperatura que pode ser explicado considerando-se uma distribuição bimodal de tamanhos. Para as amostras DWELL foi identificado um pico de PL, atribuído à emissão do estado fundamental de QDs pertencentes à uma distribuição contínua de tamanhos.Semiconductor structures with high confinement degree, such as quantum wells, quantum wires and quantum dots, have been of great interest, both from the technological point of view and for basic research. Self-Assembled Quantum Dots (SAQD`s) appear spontaneously, as a consequence of the lattice mismatch of the material deposited in relation to the substrate, when growing by Molecular Beam Epitaxy (MBE). In this work samples of Quantum Dots were studied by photoluminescence (PL) technique, with variation of temperature and excitation power. Samples of InAs SAQDs, grown on GaAs were studied. Dots within an InGaAs quantum well (14% of In) were also grown, and this kind of heterostructures are called DWELL (dots-in-a-well). The QDs structures were produced through continuous growth (with different deposition rates), as well as by pulsed growth, which consists of cycles of deposition and interruption interval. By analyzing the PL spectra was found that some samples of QDs exhibit an anomalous behavior with temperature of the energy of PL integrated intensity, and line width, wich can be explained considering the size distributions of the "dots". In two samples of QDs grown on GaAs, two PL peaks have been identified, whose behavior with temperature can be explained by considering a bimodal size distribution. For DWELL samples, one peak of PL has been identified, attributed to the emission of the ground state of QDs belonging to a continuous distribution of sizes