Este trabalho teve como objetivo principal o estudo da difusão de íons Li+ em filmes finos de óxidos de W, Mo e no óxido misto W-Mo. Foi realizado um estudo conceitual da termodinâmica básica de uma cela eletroquímica e da cinética da difusão em um eletrodo de intercalação. As soluções da segunda lei de Fick para duas condições de contorno na interface filme-eletrólito - fluxo e concentração iônica constantes - forneceram uma expressão exata e duas aproximadas, para o cálculo do coeficiente de difusão química, , sob a condição de fluxo iônico constante, e uma expressão para a condição de concentração constante. Em uma cela, estas condições correspondem à aplicação de uma corrente e de um potencial constante, respectivamente; dando origem à...
Neste trabalho foi feita a determina??o experimental da difus?o do mangan?s no Cr2O3 sint?tico pol...
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível SuperiorApresentamos algumas propostas de paramet...
Neste trabalho é apresentado um estudo da influência das técnicas de deposição de filmes finos nas p...
Este trabalho teve como objetivo principal o estudo da difusão de íons Li+ em filmes finos de óxidos...
Este trabalho teve como objetivo realizar um estudo das propriedades eletrocrômicas e de intercalaçã...
Neste trabalho foram estudadas as propriedades de filmes finos de óxido de molibdênio depositadas po...
Dissertação: Rene RobertDissertação (mestrado) - Universidade Federal do ParanaResumo: O fenômeno da...
Neste trabalho se apresenta um estudo do eletrocromismo de filmes finos de óxido de titânio crescido...
Neste trabalho pesquisamos variações das propriedades elétricas de filmes ultrafinos de diferentes m...
Neste trabalho foram investigadas experimentalmente algumas propriedades fundamentais para a caracte...
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o diel...
Apresenta-se aqui o estudo de interdifusão e reação no estado sólido em bicamadas de filmes finos de...
Neste trabalho, filmes finos de V2O5 foram depositados pela técnica de evaporação resistiva em alto ...
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o diel...
Este projeto tem como principal objetivo avaliar a eficiência da técnica de difusão em filmes finos ...
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