Study of the trapping phenomena on the long-term reliability of Gallium Nitride high electron mobility transistors

L'objectif principal de cette thèse est d'étudier les phénomènes de piégeage présents dans la structure des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en Nitrure de Gallium (GaN) des deux technologies GH25 et GL2D. Le travail présenté dans ce mémoire se compose de deux grandes parties. Dans la première partie, nous présentons la technique athermique A-DCTS ainsi que les protocoles développés pour la caractérisation des pièges situés à la surface et/ou dans le buffer GaN. Dans la deuxième partie, nous étudions l'évolution des pièges générés par un vieillissement à long terme (12000h) en conditions opérationnelles RADAR et par step stress des composants GH25 et GL2D.The main objective of this thesis is to study the trapping phenomena present in the structure of Gallium Nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) of both GH25 and GL2D technologies. The work presented in this thesis consists of two main parts. In the first part, we present the athermal A-DCTS technique as well as the protocols developed for the characterization of the traps located et the surface and/or in the GaN buffer. In the second part, we study the evolution of the traps generated by a long term aging (12000h) in RADAR operational conditions and by step stress of the GH25 and GL2D components