The electronic properties of GaN/AlGaN quantum well

Yüksek Lisans TeziBu tezde, zinc-blende GaN/AlXGa 1-XN kuantum kuyusunun elektrik , manyetik, lazer alanlar ve hidrostatik basınç altında elektronik özellikleri incelenir. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusundaki bir elektronun enerjisi dıs alanların etkisi altında sonlu farklar metoduyla bulunur. Bu kuantum kuyusuna yabancı atom katıldıgında yabancı atomun enerjisi varyasyon metoduyla bulunur. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna dısarıdan hiçbir etki yokken yabancı atomun konumunun z yönünde degisimiyle ve kuyunun genisliginin artmasıyla baglanma enerjisinde azalma gösterir. Bu kuyuya ?z yönünde elektrik alan uygulandıgında z yönünde yabancı atomun konumunun degismesiyle baglanma enerjisi artıs gösterir. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna merkezinde yer alan yabancı atom için z yönünde uygulanan manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi artar. Farklı yabancı atom konumları için ise manyetik alanın artımıyla baglanma enerjisi azalır. Zinc-blende GaN/AlXGa1-XN kuantum kuyusuna lazer alan uygulandıgında kuyu genisliginin yarısından küçük olan lazer giydirme parametrelerinde baglanma enerjisi azalır. Bu kuantum kuyularına hidrostatik basıncın artmasıyla kuyu genisligine göre baglanma enerjileri tüm yabancı atom konumları için artıs gösterir. Bu tezde dısarıdan uygulanan elektrik, manyetik, lazer alanların ve hidrostatik basınç etkileri kadar kuantum kuyusunda yabancı atomun konumunun da önemli oldugu gözlenir.AbstractIn this thesis, the electronic properties of zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well under the electric, the magnetic, the laser fields and the hydrostatic pressure are examined. The energy of an electron in the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well is found with the method of finite differences under the influence of external fields. When the impurity is joined to this quantum well, the energy of the impurity is found with the variation method. While there was no effect to zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum well from outside, the binding energy decreases with the increase of the width of well and the location of the impurity changes in the z direction. When the electric field applied to the well in the -z direction, the binding energy increases with change of the position of impurity in the z direction. The binding energy increases with the increase of magnetic field applied in the z direction to the impurity center located in zinc-blende GaN/AlXGa1-XN quantum well. The binding energy decreases with the increase of the magnetic field for different impurity location When the laser field is applied the zinc-blende GaN/Al XGa1-XN quantum wells, the binding energy is reduced for the laser driven parameter that are smaller than values half of the well width.With the increase of hydrostatic pressure, the binding energy increases for all the impurity location. In this thesis, it is observed that the location of impurity is as important as the size of effect from outside applied the electric, magnetic , laser fields and hydrostatic pressure