MOCVD Growth of GaSb and Al GaSb

Abstract. GaSb and Al GaSb are narrow gap semiconductors, is of current interest, for its optoelectronic application in the near and medium infra-red region. The large ratio of the ionization coefficient of hole and electrons is key factor for high speed and low noise in APD. In this paper we report the frowth of GaSb and AlGaSb in a home made vertical MOCVD reactor using trymethylgalium (TMGa), trymethylalumunium (TMAl) and tridismethylaminiantimonat (TDMASb) as metalorganic sources. In the reactor we used a flow guide to obtain uniform layers. The effect of growth temperature and the V/III ratio on the structural properties, surface morphology, optical and electronic properties is presented. Penumbuhan GaSb dan AlGaSb dengan MOCVDSari. GaSb dam AlGaSb adalah semikonduktor paduan yang mempunyai selah energi yang sempit, dewasa ini sangat menarik mengingat penerapannya dalam optoelektronika di daerah inframerah yang dekat dan yang menengah. Perbandingan dari koefisien ionisasi dari lubang dan electron merupakan faktor yang menentukan dalam APD yang mempunyai respons yang cepat dan derau yang rendah. Dalam tulisan ini penulis melaporkan penumbujan dari GaSb dan AiGaSb dalam reactor MOCVD yang vertikal yang telah dibangun sendiri dengan menggunakan trimetilgalium (TMGa), trimetilaluminium (TMAI) dan trisdismetilaminoantimonat sebagai sumber-sumber metal-organik. Reaktor tersebut mempergunakan pemandu aliran untuk memperoleh lapisan dengan ketebalan yang uniform. Disini disajikan pengaruh dari temperature penumbuhan dan perbandingan V/III pada sifat-sifat struktur, morfologi permukaan, sifat-sifat optic dan sifat-sifat listriknya