Influence of Growth Conditions on Morpology, Structure and Electrical Properties of Thin Films of Organic Semiconductors

Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Filmwachstums und der elektrischen Leitung organischer Halbleiter, insbesondere, wie sich diese beiden Eigenschaften durch strukturelle Modifikation der Moleküle und die Wahl eines geeigneten Substrates beeinflussen lassen.In dieser Arbeit sollen drei Substanzklassen untersucht werden::br:Perylentetracarbonsäurediimide:br:perfluorierten Phthalocyanine:br:Sub-Phthalocyanine.:br::br:Dünnfilme dieser Halbleiter sollen hier mittels Physical Vapour Deposition (PVD) hergestellt werden. Diese Methode erlaubt es, sehr hoch geordnete Filme verschiedenster Verbindungen auf einer Vielzahl an Substraten abzuscheiden. In dieser Arbeit werden verschiedene Substrate verwendet. Zur Darstellung möglichst hoch geordneter Filme werden einkristalline Substrate (Alkalihalogenide, Glimmer) verwendet. Als nicht geordnetes Beispielsubstrat wird amorphes SiO2, welches als Substrat breite Anwendung in der Elektronikindustrie findet, verwendet. Es soll nun untersucht werden, welchen Einfluß die Wahl des Substrates auf das Wachstum der drei Verbindungsklassen hat und die daraus resultierenden unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften ermittelt werden. Diese Eigenschaften sollen in Hinblick auf eine Anwendung in organischen Feldeffekttransistoren (OFET) optimiert werden, was vor allem eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit voraussetzt.:br:Noch weitergehend ist der Ansatz des all-organic field effect transistor . Dabei sollen alle Bestandteile aus organischen Materialien bestehen. Dieser Ansatz soll in dieser Arbeit exemplarisch für einen Halbleiter gezeigt werden. Es soll hierbei vor allem die Kompatibilität des schon auf den anorganischen Substraten verwendeten PVD-Verfahrens gegenüber organischen Substraten (Polymere) gezeigt werden