Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором

В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs