Solution of the problem of heat removal in the enclosure semiconductor devices and microcircuits

В работе рассмотрена классификация корпусов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с точки зрения отвода тепла. Представлены основные значения теплового сопротивления на уровне «кристалл-корпус» «кристалл-среда». Представлены соответствующие зависимости. The paper considers the features of measuring the thermal resistances of power semiconductor devices: formulas, practical features, thermograms of the temperature distribution on MOS transistors connected with and without a radiator are presented, the numerical values of the resistances are calculated