Measuring thermal resistance of power semiconductor devices

В работе рассмотрены особенности измерения тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов: представлены формулы, практические особенности, термограммы распределения температур на МОП транзисторах, включенных с радиатором и без, рассчитаны численные значения сопротивлений. The paper considers the features of measuring the thermal resistances of power semiconductor devices: formulas, practical features, thermograms of the temperature distribution on MOS transistors connected with and without a radiator are presented, the numerical values of the resistances are calculated