В работе рассмотрена проблема отвода тепла полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Представлены основные формулы для вычисления значений теплового сопротивления. Перечислены основные способы уменьшения величины теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов. The paper deals with the problem of heat removal from semiconductor devices and integrated circuits. Basic formulas for calculating thermal resistance values are presented. The main ways to reduce the value of thermal resistance of power semiconductor devices are listed
Рассмотрены вопросы оптимизации внутриблочных технологических процессов ТЭС для повышения качества и...
В работе приведен анализ публикаций, посвященных электротепловому расчету резисторов. Определены нап...
276-279Рассмотрена задача об определения плотности тепловых источников по дополнительной информации ...
В работе рассмотрена классификация корпусов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем ...
На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых ...
В работе рассмотрены особенности измерения тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов...
Исследуется возможность улучшения статических и динамических параметров кремниевых диффузионных диод...
Представлены результаты исследований особенностей распространения тепловых потоков в оксидных подлож...
Предложены системы охлаждения полупроводниковых интегральных схем с высокой степенью интег...
У цій статті проведено аналіз перехідних процесів в електричних колах з напівпровідниковими комутато...
Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры...
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на...
На базе предложенной авторами симметричной трехслойной тепловой модели мощных тиристоров с припаянны...
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэле...
Предложен подход к анализу электротермонапряженного состояния электрических соединений на примере V-...
Рассмотрены вопросы оптимизации внутриблочных технологических процессов ТЭС для повышения качества и...
В работе приведен анализ публикаций, посвященных электротепловому расчету резисторов. Определены нап...
276-279Рассмотрена задача об определения плотности тепловых источников по дополнительной информации ...
В работе рассмотрена классификация корпусов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем ...
На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых ...
В работе рассмотрены особенности измерения тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов...
Исследуется возможность улучшения статических и динамических параметров кремниевых диффузионных диод...
Представлены результаты исследований особенностей распространения тепловых потоков в оксидных подлож...
Предложены системы охлаждения полупроводниковых интегральных схем с высокой степенью интег...
У цій статті проведено аналіз перехідних процесів в електричних колах з напівпровідниковими комутато...
Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры...
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на...
На базе предложенной авторами симметричной трехслойной тепловой модели мощных тиристоров с припаянны...
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэле...
Предложен подход к анализу электротермонапряженного состояния электрических соединений на примере V-...
Рассмотрены вопросы оптимизации внутриблочных технологических процессов ТЭС для повышения качества и...
В работе приведен анализ публикаций, посвященных электротепловому расчету резисторов. Определены нап...
276-279Рассмотрена задача об определения плотности тепловых источников по дополнительной информации ...