Проведено исследование влияния термического отжига при температуре 653– 693 К на воздухе на оптические характеристики тонких пленок диоксида гафния, полученных реактивным ионно-лучевым распылением мишени из гафния. Установлено, что отжиг пленки, полученной при нагретой подложке, привел к снижению пропускания в УФ области спектра, увеличению – в видимой и ИК области и уменьшению поглощения во всем диапазоне измерений. Тhe effect of thermal annealing at 653–693 K in air on the optical characteristics of thin films of hafnium dioxide obtained by reactive ion-beam sputtering of a hafnium target has been studied. It was found that annealing of the film obtained with a heated substrate led to a decrease in transmission in the UV region of the spe...
Исследованы электрофизические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия. Структура и...
Исследовано влияние лазерного излучения на электропроводность тонких пленок Ti, находящихся в нагрет...
The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV)...
Ta2Nを用いた陽極酸化膜キャパシタは,耐熱性の向上を図れるが比誘電率の低下を伴うので,このことを回避するため,Ta-Zr合金の陽極酸化膜キャパシタを作製し,その電気的特性に及ぼす熱処理温度の影響と,...
The envelope method was employed to determine optical constants of thin films of TiO2 and TiO2: Mn p...
Представлены результаты исследования влияния ионного облучения на физико-химические свойства термиче...
Представлены результаты исследования влияния ионного облучения на физико-химические свойства термиче...
Теоретически установлена возможность временной модуляции квазинепрерывного излучения в ходе резонанс...
西元1960年由美國科學家Maiman發表了第一台紅寶石雷射,自此以後雷射的應用開始普及於工業、通訊、醫療、量測等產業。近年來,雷射也常被應用於顯示器和半導體產業,利用雷射高功率密度的性質,雷射退火常...
采用电子束蒸发(EBE)和离子束溅射(IBS)制备了不同的Ta_2O_5薄膜,同时对电子束蒸发制备的薄膜进行了退火处理。研究了制备的Ta_2O_5薄膜的光学性能、激光损伤阈值(LIDT)、吸收、散射、...
Определено влияние дополнительного отжига в вакууме на структуру, электрофизические и оптические сво...
High-quality CdZnTe films of different compositions were obtained by liquid phase epitaxy. Growth oc...
Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращ...
利用直流磁控反应溅射技术制备了氧气和氩气的分压比为5:100的NiOx薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱仪研究了热处理对薄膜的微观结构和光学性质的影响,...
氧化铪薄膜是应用最广泛的高功率激光薄膜,本文着重研究了氧化铪薄膜的制备技术和以及不同的制备技术对薄膜的结构和热力学性能的影响,为提高氧化铪薄膜性能奠定了基础。 本文首先研究了电子束蒸发沉积氧化铪薄膜...
Исследованы электрофизические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия. Структура и...
Исследовано влияние лазерного излучения на электропроводность тонких пленок Ti, находящихся в нагрет...
The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV)...
Ta2Nを用いた陽極酸化膜キャパシタは,耐熱性の向上を図れるが比誘電率の低下を伴うので,このことを回避するため,Ta-Zr合金の陽極酸化膜キャパシタを作製し,その電気的特性に及ぼす熱処理温度の影響と,...
The envelope method was employed to determine optical constants of thin films of TiO2 and TiO2: Mn p...
Представлены результаты исследования влияния ионного облучения на физико-химические свойства термиче...
Представлены результаты исследования влияния ионного облучения на физико-химические свойства термиче...
Теоретически установлена возможность временной модуляции квазинепрерывного излучения в ходе резонанс...
西元1960年由美國科學家Maiman發表了第一台紅寶石雷射,自此以後雷射的應用開始普及於工業、通訊、醫療、量測等產業。近年來,雷射也常被應用於顯示器和半導體產業,利用雷射高功率密度的性質,雷射退火常...
采用电子束蒸发(EBE)和离子束溅射(IBS)制备了不同的Ta_2O_5薄膜,同时对电子束蒸发制备的薄膜进行了退火处理。研究了制备的Ta_2O_5薄膜的光学性能、激光损伤阈值(LIDT)、吸收、散射、...
Определено влияние дополнительного отжига в вакууме на структуру, электрофизические и оптические сво...
High-quality CdZnTe films of different compositions were obtained by liquid phase epitaxy. Growth oc...
Цель работы - исследование влияния у-радиации на электрический пробой. Тонкопленочный SiO2 был выращ...
利用直流磁控反应溅射技术制备了氧气和氩气的分压比为5:100的NiOx薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱仪研究了热处理对薄膜的微观结构和光学性质的影响,...
氧化铪薄膜是应用最广泛的高功率激光薄膜,本文着重研究了氧化铪薄膜的制备技术和以及不同的制备技术对薄膜的结构和热力学性能的影响,为提高氧化铪薄膜性能奠定了基础。 本文首先研究了电子束蒸发沉积氧化铪薄膜...
Исследованы электрофизические свойства тонких наноструктурированных пленок оксида индия. Структура и...
Исследовано влияние лазерного излучения на электропроводность тонких пленок Ti, находящихся в нагрет...
The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV)...