The electrical model of magnitoresistive memory cell

Разработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (МОЗУ — магниторезистивное оперативное запоминающее устройство) в интегральном исполнении на кремнии. Приведены электрические эквивалентные схемы и топологическое исполнение ячейки памяти на основе магнитных туннельных переходов (МТП), которые включают наноструктуры ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник. Модель описана на языке Verilog-AMS для схемотехнического моделирования устройств спинтроники в системах автоматизированного проектирования интегральных микросхем и систем-на-кристалле. Приведены экспериментальные данные и результаты тестирования модели в системе сквозного проектирования Cadence Design System.The electrical model of magnetoresistive memory cell (MRAM — magnetoresistive random-access memory) on silicon technology has been developed. Electrical equivalent circuits and layout performance of the memory cell based on magnetic tunnel junctions (MTJ) which include the ferromagnetic/insulator/semiconductor nanostructures are presented. The model is realized with Verilog-AMS behavioral language for computer simulations of spintronic devices in computer-aided design systems of integrate circuits and systems-on-chips. Experimental data and testing results of the model in Cadence Design System are presented