Choise of the electrical mode parameters as imitation factors in forecasting gradual failures of bipolar transistors

С помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функциональных параметров (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмиттером, напряжения насыщения коллектор-эмиттер) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, обусловленными параметрами электрического режима (током коллектора, напряжением коллектор-эмиттер) как имитационных факторов, и изменениями, вызываемыми длительной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента корреляции более 0,7–0,8) является доказательством возможности использования параметров электрического режима в качестве имитационных факторов при прогнозировании постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий.By experimental research of bipolar transistors for functional parameter (gain factor of base current in the circuit with common emitter) the paper establishes the presence of linear correlation between the changes caused by the electrical mode parameters (collector current and collector-toemitter voltage) as the imitation factors and changes resulting from long operating age of transistors. Close correlation (correlation factor module more than 0,7–0,8) is the evidence of the possibility to use electrical mode parameters as the imitation factors in forecasting gradual failures of bipolar transistors by imitation effect method