Si/3N нано приборы: второе пришествие кремния

Разработка новых полупроводниковых АIIIBV-материалов для источников света, оптико-электронных сверхвысокочастотных и высокотемпературных устройств является актуальной задачей в течение последних десятилетий. Интеграция электронных элементов с регулярными АIIIBV-структурами на Si приводит к широким возможностям для изобретения сложных функциональных устройств на одном чипе (Si/3N). Самоорганизующиеся диэлектрические пленки, например, пористый анодный оксид алюминия являются перспективными материалами в качестве шаблона для монтажа Si/3N наноустройств. Был разработан научный подход создания новых супер ярких белых светодиодов на основе разнородных материалов и нанопористых структур. Development of new semiconductor АIIIBV-materials for light sources, optoelectronic ultrahigh-frequency and high-temperature devices is an actual task during last decades. Integration of electronic elements with regular АIIIBV-structures on Si leads to wide possibilities for invention of complex functional devices on a single cheap (Si/3N). Self-organized dielectric films, for example, porous anodic alumina are promising materials as a template for mounting of Si/3N nanodevices. The scientific approach of creation of new super bright white LEDs based on heterogeneous materials and nanoporous structures has been developed