Crecimiento de nanoestructuras 1D de ZnO sobre aluminio anodizado

"Debido a sus atractivas propiedades físicas, el ZnO es considerado un material potencial para la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Al respecto, diversas técnicas de crecimiento se han desarrollado a fin de garantizar el control requerido de éstas para la fabricación de dispositivos comerciales. En la constante búsqueda por mejorar las características de los dispositivos existentes, los materiales de baja dimensionalidad han demostrado ser una alternativa prometedora. En el presente trabajo se reporta la fabricación de una estructura tipo metal-aislante-semiconductor (MIS, por sus siglas en inglés) basadas en nanoestructuras de ZnO. La estructura ZnO/Al2O3/Al obtenida fue estudiada mediante difracción de rayos-x, microscopía electrónica de barrido, espectroscopía micro-Raman y mediciones de impedancia. Los resultados demuestran que es posible crecer nanoestructuras de ZnO mediante la ruta química hidrotermal sobre sustratos de aluminio anodizado (Al2O3/Al) obtenidos mediante los procesos electroquímicos de electropulido y anodizado. Del siglo pasado a la fecha se han dado pasos agigantados en el terreno de los servicios y dispositivos asociados a la producción de energía, servicios de transporte y sistemas de comunicaciones1, que ahora son accesibles a un mayor número de personas en comparación con las décadas pasadas"