Croissance de couches minces de silicium par épitaxie en phase liquide à basse température pour applications photovoltaïques

Dans le cadre de cette thèse, nous présentons une voie économique, propre et innovante de réalisation de substrat de silicium en couche mince pour applications photovoltaïques. Elle est basée sur la croissance de couche par épitaxie en phase liquide à basse température sur substrats de silicium fragilisé par implantation ionique pour le détachement et le report sur substrats bas coûts. L\u27objectif de ce travail est de trouver les conditions expérimentales pour baisser la température d\u27épitaxie (