Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium

En électronique de puissance, la filière silicium représente la quasi-totalité des composants actifs. De nos jours, avec les nouvelles contraintes, des tensions élevées (>5kV), des températures de fonctionnement importantes (>200 C), le silicium a atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite. Il possède des propriétés physiques bien supérieures à celles du silicium pour les applications de puissance. Cependant, la technologie de fabrication des composants de puissance n\u27est pas encore mature. Les travaux de cette thèse portent sur l\u27optimisation des étapes technologiques nécessaires pour la fabrication de composants de puissance en SiC. Et plus particulièrement la gravure plasma pour la mise en place d\u27une protection périphérique mesa et le contact ohmique sur le SiC de type P ont été étudiés. Ces améliorations ont été implémentées dans la fabrication de différentes diodes SiC et ont permis d\u27obtenir des composants de 1,2kV à 6kV