Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub-0,13 micromètre

Le premier objectif de cette thèse était d\u27étudier les performances en micro-ondes des MOSFET intégrés en technologie Silicium-Sur-Isolant (SOI) dont les dimensions minimales sont inférieures à 0,13 micromètre. Le second objectif était de montrer leurs potentialités au sein de circuits intégrés à faible consommation, fonctionnant dans les micro-ondes, c\u27est-à-dire de quelques GHz à quelques dizaines de GHz, et même au-delà. Ainsi, ce mémoire montre les possibilités ainsi que les limites de cette technologie de part une analyse du fonctionnement des MOSFET SOI partiellement désertés dans les micro-ondes, accompagnée, en parallèle, d\u27une étude du bruit micro-ondes intrinsèque. Ce manuscrit indique également les impacts des différents effets parasites sur le fonctionnement dans les micro-ondes des MOSFET SOI en fonction de la structure des composants utilisés. L\u27étude s\u27achève sur une analyse des potentialités ainsi que du comportement des futures structures en technologie Silicium-Sur- Isolant