Transistores de efeito de campo (FETs) modificados com nanoeletrodos de Au representam uma excelente ferramenta para o estudo eletrofisiológico de células, uma vez que as características da dimensionalidade destes últimos são comparáveis às espécies celulares a serem detectadas e medidas múltiplas podem ser realizadas simultaneamente. Neste trabalho, foram fabricados transistores de efeito de campo com três diferentes tipos de superfície em suas regiões de porta, transistores com somente SiO2, SiO2 e Al2O3 anódica porosa, e ainda SiO2-Al2O3 contendo nanopartículas de Au dentro de seus poros. Os transistores foram caracterizados por microscopia eletrônica de varredura assim como por medidas elétricas convencionais. Estas últimas demonstraram...
Superfícies híbridas nanoestruturadas Pt/Au com os depósitos de Au de 20, 50 e 100 nm de espessura f...
Com o desenvolvimento de novos nanomateriais têm-se descoberto propriedades eletrônicas, elétricas, ...
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas,...
Orientador: Lauro Tatsuo KubotaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Qu...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
Este trabalho tem como objetivo estudar um transistor de tunelamento por efeito de campo de porta d...
Orientador: Lauro Tatsuo KubotaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto...
Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de n...
Um desafio central na área das ciências da saúde e biomédica tem sido o desenvolvimento de testes cl...
Resumo: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabri...
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de...
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas,...
Com o desenvolvimento de novos nanomateriais têm-se descoberto propriedades eletrônicas, elétricas, ...
Superfícies híbridas nanoestruturadas Pt/Au com os depósitos de Au de 20, 50 e 100 nm de espessura f...
Com o desenvolvimento de novos nanomateriais têm-se descoberto propriedades eletrônicas, elétricas, ...
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas,...
Orientador: Lauro Tatsuo KubotaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Qu...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
O transistor de efeito de campo de porta estendida e separada (SEGFET) é um dispositivo alternativo ...
Este trabalho tem como objetivo estudar um transistor de tunelamento por efeito de campo de porta d...
Orientador: Lauro Tatsuo KubotaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto...
Esse trabalho de mestrado teve como estudo o transistor Túnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de n...
Um desafio central na área das ciências da saúde e biomédica tem sido o desenvolvimento de testes cl...
Resumo: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabri...
Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de materiais e métodos avançados de fabricação de...
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas,...
Com o desenvolvimento de novos nanomateriais têm-se descoberto propriedades eletrônicas, elétricas, ...
Superfícies híbridas nanoestruturadas Pt/Au com os depósitos de Au de 20, 50 e 100 nm de espessura f...
Com o desenvolvimento de novos nanomateriais têm-se descoberto propriedades eletrônicas, elétricas, ...
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas,...