Obtenção e caracterização de filmes de silicio policristalino para aplicação em tecnologia MOS porta de silicio

O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silícioNot informe