Espalhamento Raman eletrônico do Sm2+ em CaF2

Foi realizado um estudo através de Espalhamento Raman Eletrônico dos níveis eletrônicos da configuração fundamental do Sm2+ ( 7FJ J = 0,1,....6 ) desdobrados pelo campo cristalino do fluoreto de cálcio. Foi feita uma análise do tensor "espalhamento Ramn Eletrônico" determinando-se a forma e simetria dos tensores irredutíveis para o espalhamento Raman Eletrônico relevantes para o nosso caso, assim como as regras de seleção. Foi feit uma série de medidas do espectro RE e da banda fluorescente do Sm2+ : CaF2, usando-se como excitação as linhas 5145 Å, 4965 Å, 4880 Å, 4765 Å e UV ( 3638 Å ) de um laser de argônio, entre a temperatura de 5 K a 300 K. Foram observadas seis transições RE, que com auxilio da análise da estrutura da banda fluorescente, foram identificados como sendo transições entre os estados: 7F0 ( A1g ) ® 7F1 ( T1g ) ; 7F1 ( T1g ) ® 7F2 ( Eg ), 7F2 ( T2g ) ; 7F2 ( Eg ) ® 7F3 ( T2g ), 7F3 ( T1g ) e 7F2 ( T2g ) ® 7F3 ( T1g ) ficando ao mesmo tempo determinada as energias do níveis 7F1 ; 7F2 e 7F3 em relação ao estado fundamental 7F0. Foram feitas mediads com análise de polarização destas transições RE, sendo determinada a simetria dos picos RE como T1g, ficando então confirmado que o tensor irredutível para o RE responsável pelas transições é o a1estático. Foram feitas medidas do espectro RE Ressonante, observando-se um aumento na intensidade relativa entre as TRE observadas e as TR do fónon. Entretanto, devido a restrições experimentais, não se detectou um número de contagens suficientes que permitisse fazer-se o estudo da propriedade de antissimetria do tensor irredutível RE a1estático como é previsto pela teoria. Foi observada uma anomalia nas intensidades relativas entre as TRE em 266 cm-1, 254 cm-1 e 249 cm-1 quando a linha de excitação é a 4965 Å e o cristal está orientado. O fato de que este efeito não é observado quando o cristal não está orientado talvez seja uma indicação de que este efeito seja devido a propriedade de antissimetria do tensor irredutível a1estático. As transições RE devido ao tensor a2estático não foram observadas, possivelmente porque, como é previsto pela teoria, a intensidade do espalhamento RE devido ao tensor irredutível a2estático é muito menor comparada com a intensidade do espalhamento RE devido ao tensor irredutível a1estáticoThe groud state, 7F0, and crystal field components of the 7F1, 7F2 and 7F3 manifolds of the ion Sm2+ in CaF2, have been studied by Eletronic Raman Spectroscopy. A theory of the scattering tensor for Eletronic Raman transitions ( ERT ) without the severe approximations usually emploeyd hes been developed. Both the symmetric and antissymmetric part of the irreducible spherical representation of the scattering tensor were determinad,as well as the selection rules for the Eletronic Raman effect for Sm2+ in CaF2. Six ERT were observed.With the aid of the fluorescence band spectrum these features were identified as the transitions: 7F0 ( A1g ) ® 7F1 ( T1g ) ; 7F1 ( T1g ) ® 7F2 ( Eg ), 7F2 ( T2g ) ; 7F2 ( Eg ) ® 7F3 ( T2g ), 7F3 ( T1g ) and 7F2 ( T2g ) ® 7F3 ( T1g ). The energy of these states relative to the ground state 7F0 were determinated. The symmetry of the ERT was determinated experimentally by polarized Eletronic Raman Spectroscopy as T1g. This fact confirm that the irreducible scattering tensor a1static is the responsable for all the ERT observed. The Ressonant Eletronic Raman Effect has also benn investigated. An anhancement in the intensity of the ERT as comparated with the Raman transition by phonon was observated. For oriented sample as anomaly in the relative intensities of the features at 249 cm-1, 254 cm-1 and 266 cm-1 was observed when excited by the 4965 Å Laser line. This suggests that this effect is related to the propertie of antisymmetry of irreducible scatering tensor a1static. The ERT by irreducible scattering tensor a2static was not observed. This can be expected since in our case the symmetric part of the irreducible scattering tensor can be negleted as compared with the antisymmetric par