A difração múltipla no estudo de camadas epitaxiais tensionadas

Neste trabalho, é desenvolvido um método baseado na técnica de difração múltipla de raios-X, para caracterizar a discordância entre os parâmetros de rede da camada e do substrato, na direção paralela à interface camada/substrato. Esse método utiliza os casos de três feixes envolvendo as reflexões secundárias de superfície, cujo feixe secundário é espalhado paralelamente aos planos atômicos primários, além das difrações múltiplas híbridas, oriundas da interação entre as redes da camada e do substrato. A deteção de ambas num mesmo diagrama Renninger, possibilita a caracterização desejada. Para o estudo da ocorrência das contribuições híbridas, foi necessário considerar a geometria de Kossel para a difração múltipla, utilizada na técnica do feixe de raios-X divergente. A utilização das equações básicas dessa geometria, foi modificada de forma a contemplar o espalhamento pelos planos secundários e de acoplamento, que são importantes na interação das redes camada/substrato. Esse novo tratamento fornece a possibilidade de considerar o efeito de imperfeições cristalinas (largura mosaico como um primeiro exemplo) nas equações desenvolvidas, com facilidade. Também, a partir dele, foi possível traçar diagramas de incidência, que evidenciam tanto os efeitos da divergência do feixe incidente quanto a observação das contribuições híbridas. O método desenvolvido foi aplicado a dois sistemas: GaAs/Si[001] e InGaAsP/GaAs[001], e apresentam resultados muito bons na caracterização deles. Além disso, mostrou que mesmo camadas finas (da ordem de 500Þ neste trabalho) intermediárias entre uma camada externa mais espessa e o substrato, podem ser analisadas com razoável precisãoNot informe