Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) presentes na equação para a banda de condução, sob a hipótese de que o gap de energia seja muito maior que todas as demais diferenças de energia envolvidas (verdade para a maioria das estruturas Zincblende). A partir de um procedimento introduzido previamente1,3, desenvolvi um procedimento mais geral que implementa sistematicamente esta linearização até segunda ordem no inverso do gap de energia e qu...
Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico d...
Esta tese apresenta um estudo experimental em sistemas eletrônicos multicamadas formados em diversas...
Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de he...
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda ...
Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de...
Neste trabalho apresentamos a determinação autoconsistente da constante de interação spin-órbita em ...
Dans le cadre de l'ingénierie des propriétés optiques des matériaux, ce travail de thèse a proposé d...
Esta tese compõe-se de contribuições à física das propriedades eletrônicas das heteroestruturas semi...
Orientador: Peter Alexander Bleinroth SchulzTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, In...
A interação spin-órbita tem desempenhado um papel crucial no desenvolvimento de dispositivos semicon...
Neste trabalho iremos apresentar a teoria autoconsistente k. p aplicada a heteroestruturas dopadas t...
Estudamos as propriedades dinâmicas de elétrons em heteroestruturas semicondutoras: barreira e poços...
Calculamos a estrutura eletrônica de heteroestruturas semicondutoras III-V e II-VI na aproximação da...
Neste trabalho utilizamos o método k.p na aproximação de função envelope, que é uma ferramenta muito...
Os resultados apresentados neste trabalho estão sistematizados em três partes. Em uma primeira etapa...
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