Memória endereçada por conteúdo nanoeletrônica

O presente texto é resultado de pesquisas desenvolvidas pela autora ao longo de trabalhos de iniciação científica juntamente com o desenvolvimento do projeto de conclusão de curso. Aqui é apresentada uma proposta original para uma memória endereçada por conteúdo nanoeletrônica, cujo funcionamento foi validado por simulações computacionais na temperatura ambiente. A partir da escolha do núcleo da célula dessa memória, que seria representada por um flipflop/ latch SET-RESET, vários estudos de portas e circuitos lógicos foram desenvolvidos de forma a obter o melhor circuito correspondente a essa arquitetura desejada. Além disso, foram avaliados também os demais circuitos necessários para a formação da arquitetura final da memória. Dessa forma, pôde ser idealizada uma memória endereçada por conteúdo formada inteiramente por dispositivos mono-elétron e cujas funcionalidades fossem capazes de realizar as funções básicas desejadas: a partir de uma palavra de entrada externa, realizar sua comparação com palavras previamente armazenadas no seu núcleo e endereçar o conteúdo da memória através do caminho vencedor. Como resultado destes trabalhos, há ainda o artigo Single-Electron Content-Address Memory Circuit, apresentado na sessão SFORUM no congresso Chip in the Pampa (Gramado,2008)