Propriétés électroniques du sulfure d’étain fritté

La variation du nombre de porteurs de charge a été déterminée sur des échantillons frittés de sulfure d’étain portés à l’équilibre à différentes températures, en fonction de la pression de soufre. Ces résultats expérimentaux conduisent à adopter un modèle électronique, suivant lequel ce sulfure ne contient que des lacunes d’étain doublement ionisées. L’étude de la variation du coefficient de HALL, en fonction de la température a permis de déterminer l’énergie d’ionisation, l’énergie d'association des lacunes d’étain et la largeur de bande interdite